不揮発性メモリ用Cr₂Ge₂Te₆薄膜の相変化機構とその抵抗スイッチング挙動

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Material Type: 博士論文
Title: 不揮発性メモリ用Cr₂Ge₂Te₆薄膜の相変化機構とその抵抗スイッチング挙動
Title Transcription: フキハツセイメモリヨウ Cr₂Ge₂Te₆ ハクマクノソウヘンカキコウトソノテイコウスイッチングキョドウ
Author/Editor: 畑山祥吾 [著]
Author Heading: 畑山, 祥吾ハタヤマ, ショウゴ
Publication Date: [2020]
Publication Date (W3CDTF): 2020
Extent: 1冊
Alternative Title: Phase change mechanism and its resistive switching behavior of Cr₂Ge₂Te₆ thin film for non-volatile memory
Degree grantor/type: 東北大学
Date Granted: 令和2年3月25日
Date Granted (W3CDTF): 2020
Dissertation Number: 甲第19282号
Degree Type: 博士(工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Content Type: テキスト
Media Type: 機器不用
Carrier Type: 冊子
NDLC: UT51
Target Audience: 一般
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2020-A256
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 031445511
http://id.ndl.go.jp/bib/031445511
Bibliographic Record Category (NDL): 213