SiC上グラフェンのデバイスプロセスに関する研究

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/9425028

Material type: 博士論文

Author: 呉, 龍錫

Publisher: -

Publication date: 2015-03-23

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

Name of awarding university/degree: 徳島大学,博士（工学）

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Digital

Material Type: 博士論文
Title: SiC上グラフェンのデバイスプロセスに関する研究
Author/Editor: 呉, 龍錫
Author Heading: 呉, 龍錫
Publication Date: 2015-03-23
Publication Date (W3CDTF): 2015-03-23
Alternative Title: Study of device fabrication process for graphene epitaxially grown on SiC
SiCジョウグラフェンノデバイスプロセスニカンスルケンキュウ
Degree grantor/type: 徳島大学
Date Granted: 2015-03-23
Date Granted (W3CDTF): 2015-03-23
Dissertation Number: 甲第2841号
Degree Type: 博士（工学）
Conferring No. (Dissertation): 甲第2841号
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/9425028
https://dl.ndl.go.jp/pid/9425028
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2015-07-01T13:17:09+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): http://repo.lib.tokushima-u.ac.jp/109391
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp