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単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
Paper図書
近藤博基, 安田幸夫, 名古屋大学 [著][近藤博基]2001-2004<Y151-H13305005>
National Diet Library
  • Subject Heading電流検出型原子間力顕微鏡 / MOSキャパシタ / ゲートSiO_2膜 / ストレス...

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
Digitalその他
近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也2005-04
Available onlineOther Libraries in Japan
  • Summary, etc.走査型トンネル顕微鏡(STM)および電流検出型原子間力顕微鏡(C-AFM)を用いて、極薄シリコン酸化膜(SiO_2膜)な...
  • Subject Heading... 電気伝導特性 電流スポット 電流検出型原子間力顕微鏡 電荷トラップ 高誘電率ゲート絶縁膜 高誘電率材料

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