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Evaporation-rate and substrate-temperature dependence of direct exciton transitions in BiI3 thin films formed by hot-wall technique on Al2O3 substrates

Evaporation-rate and substrate-temperature dependence of direct exciton transitions in BiI3 thin films formed by hot-wall technique on Al2O3 substrates
デジタル文書・図像類
有嶋, 駿士郎, 村田, 康樹, 坂本, 隆太, 上田, 智博, 市川, 聡夫, 岩満, 一功, 赤井, 一郎Wiley2018-08-16Physica Status Solidi B255 11p.1800092-1-1800092-9
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  • 著者標目有嶋, 駿士郎 村田, 康樹 坂本, 隆太 上田, 智博 市川, 聡夫 岩満, 一功 赤井, 一郎

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