検索結果 11 件
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- 件名AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード / ゲートリーク電流 / HEMTデバイス / MBE成長 / I-V特性 / MIS構造 / 界面準位密度
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- 件名極薄SiO2/Si界面 光電子収率分光法 フエルミ準位 表面準位密度 価電子帯状態密度 光電子脱出深さ 界面準位密度 水素終端Si処理
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- 件名GaN シヨツトキーダイオード MISダイオード 界面特性 電流-電圧特性 シヨツトキー障壁高さ 表面フエルミ準位 界面準位密度
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- 件名GaN シヨツトキーダイオード MISダイオード 界面準位密度 シヨツトキー障壁高 I-V特性 C-V特性 フエルミ準位
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- 件名フオトルミネセンス in-situ評価 表面準位密度分布 半導体自由表面 ヘテロ界面 化合物半導体 シヨツトキー...
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- 件名... Excitation 準安定準位密度 自動予備電離方式 XeCl Excimer Laser
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