木下, 恭一, 緒方, 康行, 越川, 尚清, 足立, 聡, 岩井, 正行, 鶴, 哲也, 村松, 祐治, 杉木, 喜洋, 前川, 透, 依田, 真一, Kinoshita, Kyoichi, Ogata, Yasuyuki, Koshikawa, Naokiyo, Adachi, Satoshi, Iwai, Masayuki, Tsuru, Tetsuya, Muramatsu, Yuji, Sugiki, Yoshihiro, Maekawa, Toru, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.19-26
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- 件名結晶成長 TLZ法 In(x)Ga(1-x)As 過冷却 凍結 温度勾配 対流 メルト crystal gr...
- 一般注記...stal growth of In(x)Ga(1-x)As from its melt has been invest...
- 並列タイトル等（連結）In(x)Ga(1-x)As結晶成長における組性過冷却
宇宙開発事業団, National Space Development Agency of Japan宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
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- 件名TLZ法 結晶成長 In(x)Ga(1-x)As 温度勾配 濃度 過冷却 モデル 並進運動 TLZ meth...
鶴, 哲也, 岩井, 正行, 村松, 祐治, 木下, 恭一, 緒方, 康行, 足立, 聡, 越川, 尚清, 依田, 真一, Tsuru, Tetsuya, Iwai, Masayuki, Muramatsu, Yuji, Kinoshita, Kyoichi, Ogata, Yasuyuki, Adachi, Satoshi, Koshikawa, Naokiyo, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.11-18
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- 件名TLZ法 結晶成長 In(x)Ga(1-x)As 温度勾配 濃度 均一性 モデル 並進運動 TLZ meth...
- 一般注記...ed crystals of In(x)Ga(1-x)As (X:0.3). In this study, exami...
- 並列タイトル等（連結）飽和溶融帯移動法(TLZ法)による均質なIn(x)Ga(1-x)As結晶成長の証明
Islam, M. R., Verma, P., 山田, 正良, 児玉, 茂夫, 花上, 康宏, 木下, 恭一, Yamada, Masayoshi, Kodama, Shigeo, Hanaue, Yasuhiro, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2002-12-27宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs)-Growth of Homogeneous Crystals = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (I[lc]nG[lc]aA[lc]s)-Growth of Homogeneous Crystalsp.61-71
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- 件名In(x)Ga(1-x)As 多結晶化 結晶成長 残余歪み Raman散乱 フォトルミネ...
- 一般注記...hanism in bulk In(x)Ga(1-x)As crystal grown by the two-step...
- 並列タイトル等（連結）バルクなIn(x)Ga(1-x)As結晶における多結晶化と残余歪みの研究
Islam, M. R., 鈴木, 将, Verma, P., 山田, 正良, 龍見, 雅美, 花上, 康宏, 木下, 恭一, Suzuki, Masaru, Yamada, Masayoshi, Tatsumi, Masami, Hanaue, Yasuhiro, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2002-12-27宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs)-Growth of Homogeneous Crystals = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (I[lc]nG[lc]aA[lc]s)-Growth of Homogeneous Crystalsp.73-79
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- 件名化学組成 マッピング In(x)Ga(1-x)As フォトルミネッセンス 多結晶 組成均一性 モノクロメータ ...
- 一般注記...sition in bulk In(x)Ga(1-x)As crystals. The ......ystallinity in In(x)Ga(1-x)As crystals. 資料番号: AA0045402006 ...
- 並列タイトル等（連結）フォトルミネッセンスを用いたIn(x)Ga(1-x)As組成の2次元マッピング
前川, 透, 平岡, 良章, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Hiraoka, Yoshiaki, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.19-26
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- 件名In(x)Ga(1-x)As 半導体結晶 結晶成長 冷却速度 温度勾配 濃度勾配 成長速...
- 並列タイトル等（連結）1次元および2次元数値解析によるIn(x)Ga(1-x)As成長条件
- 並列タイトル等1次元および2次元数値解析によるIn(x)Ga(1-x)As成長条件
中村, 裕彦, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, 依田, 真一, Nakamura, Hirohiko, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.15-28
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- 件名濃度勾配部分溶融法 CGPM法 In(x)Ga(1-x)As 固液反応 熱力学 微小重力 多成分ゾーン溶融法 混合結晶 ...
- 一般注記...性的に記述した。さらに、均質なIn(x)Ga(1-x)As(x=0.3)結晶を得るために......in homogeneous In(x)Ga(1-x)As crystals with x value of 0.3....
- 並列タイトル等（連結）濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用についての定性的記述
Verma, P., 山田, 正良, 龍見, 雅美, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, Yamada, Masayoshi, Tatsumi, Masami, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.77-81
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- 件名In(x)Ga(1-x)As 微小重力 多結晶 基板 可変格子適合 エピタキシャル成長層...
- 一般注記In(x)Ga(1-x)As基板材料はInGaAsをベース......つであることが確かめられた。 In(x)Ga(1-x)As substrate material provides a...
- 並列タイトル等（連結）ラマン散乱を使ったIn(x)Ga(1-x)As多結晶の組成比解析
宇宙開発事業団, Natl. Space Development Agency of Japan宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.1-86
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- 件名...ャトル 国際宇宙ステーション In(x)Ga(1-x)As 固液反応 多成分ゾーン溶融法 混合結晶 InAs-GaAs...
- 一般注記...成長、濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用、微小重力条件での2成......信頼性試験、ラマン散乱を使ったIn(x)Ga(1-x)As多結晶の解析など。 The f......application to In(x)Ga(1-x)As, crystal growt......olycrystalline In(x)Ga(1-x)As using Raman scattering, etc. ...