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Improvement of ON-Characteristics in SiC Bipolar Junction Transistors by Structure Designing Based on Analyses of Material Properties and Carrier Recombination

Improvement of ON-Characteristics in SiC Bipolar Junction Transistors by Structure Designing Based on Analyses of Material Properties and Carrier Recombination
デジタル博士論文障害者向け資料あり
Asada, Satoshi2019-03-25
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  • 件名...ors p-type SiC Current gain ON-resistance Conductivity mo...

AlGaN/SiCヘテロ接合界面制御および高電流増幅率SiC系バイポーラトランジスタの実現

AlGaN/SiCヘテロ接合界面制御および高電流増幅率SiC系バイポーラトランジスタの実現
デジタル博士論文
Miyake, Hiroki京都大学 (Kyoto University)2012-03-26
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  • 件名Sic bipolar transistor BJT heterojunction bipolar transistors HBT GaN AlGaN current gain

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