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北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター外部評価報告書

北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター外部評価報告書
Paper図書
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター点検評価委員会1999.8<ND8-G16>
National Diet Library

高密度半導体量子ドット構造の形成と評価の研究

高密度半導体量子ドット構造の形成と評価の研究
Paper図書
福井孝志研究代表[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]2001.3
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量子ドットの帯電効果を利用した超高感度受光素子の試作研究

量子ドットの帯電効果を利用した超高感度受光素子の試作研究
Paper図書
陽完治研究代表[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]2000.3
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自己選択性ドーピング機構に基づく量子細線の作製とその量子並列機能デバイスへの応用

自己選択性ドーピング機構に基づく量子細線の作製とその量子並列機能デバイスへの応用
Paper図書
陽完治研究代表[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]2000.3
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InAsヘテロ接合を用いたメゾスコピックデバイスとその応用

InAsヘテロ接合を用いたメゾスコピックデバイスとその応用
Paper図書
研究代表者 陽完治[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]1997.3
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自己組織化機構を利用した半導体立体量子構造の形成と評価

自己組織化機構を利用した半導体立体量子構造の形成と評価
Paper図書
研究代表者 福井孝志[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]1996.3
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表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究

表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究
Paper図書
研究代表者 齊藤俊也[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]1996.3
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界面制御された化合物半導体超微細構造の作製とその電子的特性の評価

界面制御された化合物半導体超微細構造の作製とその電子的特性の評価
Paper図書
研究代表者 本久順一[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]1996.3
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選択成長を利用した半導体量子ドットの作製と物性の研究

選択成長を利用した半導体量子ドットの作製と物性の研究
Paper図書
研究代表者 福井孝志[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]1994.3
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量子界面エレクトロニクス研究 : 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター研究成果報告書 = Research on interface electronics for quantum structures : research report of Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University

量子界面エレクトロニクス研究 : 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター研究成果報告書 = Research on interface electronics for quantum structures : research report of Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
Paper雑誌雑誌タイトル
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター1994.1-2001.3
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強誘電体, 化合物半導体光屈折結晶の光パルス応答と材料物性の関係

強誘電体, 化合物半導体光屈折結晶の光パルス応答と材料物性の関係
Paper図書
研究代表者 沢田孝幸[北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター]1993.3
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