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単一原子の個数と位置が制御された新しい半導体の創製とその応用

単一原子の個数と位置が制御された新しい半導体の創製とその応用
Paper図書
大泊巌, 早稲田大学 [著][大泊巌]2005-2007<Y151-H17201026>
National Diet Library
  • Subject Headingシングルイオン注入法 / 半導体 / 不純物原子 / 半導体デバイス / MOSFET / 閾値電圧

ヘテロエピタキシヤルダイヤモンド電界効果トランジスタを利用した耐環境バイオセンサ

ヘテロエピタキシヤルダイヤモンド電界効果トランジスタを利用した耐環境バイオセンサ
Paper図書
川原田, 洋, 早稲田大学1997-1999<Y151-H09555103>
National Diet Library
  • Subject Headingヘテロエピタキシヤルダイヤモンド 多結晶ダイヤモンド FET ISFET 電解質水溶液 閾値電圧 ネルンスト応答 参照用FET

CMOS集積回路のトランジスタ幅が可変となる標準セル構造の研究

CMOS集積回路のトランジスタ幅が可変となる標準セル構造の研究
Digital文書・図像類
秋濃, 俊郎近畿大学リエゾンセンター近畿大学研究成果シーズp.1-1
Other Libraries in Japan
  • Summary, etc....プルダウン･トランジスタを高い閾値電圧にし, 低い閾値電圧を持つPMOS トランジスタの基板であるn ウエルを作成しな...
  • Subject HeadingCMOS集積回路 標準セル 基板バイアス 閾値電圧

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