分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
• 著者・編者: 菊地 諒介; 奥村 宏典; 木本 恒暢 他
• シリーズタイトル: 電子部品・材料
• 著者標目: 菊地 諒介; 奥村 宏典; 木本 恒暢
• 並列タイトル等: AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 111(291):2011.11.17・18
• 掲載巻: 111
• 掲載号: 291
• 掲載ページ: 1-4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2011-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: AlN; GaN; 短周期超格子; 分子線エピタキシ法; コヒーレント成長; Short-period superlattice; Molecular-beam epitaxy; Coherent growth
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2011-122
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023342872; http://id.ndl.go.jp/bib/023342872
• 整理区分コード: 632