書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 藤倉 序章大島 祐一吉田 丈洋 他
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Realization of Freestanding GaN Substrates with High Surface Quality and Low Dislocation Density by Crystal Hardness Control
- タイトル(掲載誌)
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 111(290):2011.11.17・18
- 掲載巻
- 111
- 掲載号
- 290