促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製

• 資料種別: 記事
• タイトル: 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製
• 著者・編者: 前田 就彦; 廣木 正伸; 佐々木 智 他
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 前田 就彦; 廣木 正伸; 佐々木 智
• 並列タイトル等: Fabrication of AlGaN/GaN E-mode HFETs with Enhanced Barrier Structures
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 111(290):2011.11.17・18
• 掲載巻: 111
• 掲載号: 290
• 掲載ページ: 49-54
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2011-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaNヘテロ構造FET; E-mode; リセスゲート構造; 促進障壁層構造; MIS構造; ダブルヘテロ構造; GaN HFET; recessed-gate; enhanced-barrier structure; MIS structure; double-heterostructure channel
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2011-83
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023345554; http://id.ndl.go.jp/bib/023345554
• 整理区分コード: 632