A Low Damage Etching Process of Sub-100 nm Platinum Gate Line for Ⅲ-Ⅴ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Fabrication and the Optical Emission Spectrometry of the Inductively Coupled Plasma of SF₆/C₄F₈ (Special Issue : Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials)

A Low Damage Etching Process of Sub-100 nm Platinum Gate Line for Ⅲ-Ⅴ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Fabrication and the Optical Emission Spectrometry of the Inductively Coupled Plasma of SF₆/C₄F₈

(Special Issue : Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials)

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 023388293

資料種別: 記事

著者: Xu Liほか

出版者: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

出版年: 2012-01

資料形態: 紙

掲載誌名: Japanese journal of applied physics : JJAP 51(1)(2):2012.1

掲載ページ: p.01AB01-1-5

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資料種別: 記事
タイトル: A Low Damage Etching Process of Sub-100 nm Platinum Gate Line for Ⅲ-Ⅴ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Fabrication and the Optical Emission Spectrometry of the Inductively Coupled Plasma of SF₆/C₄F₈
著者・編者: Xu Li
Haiping Zhou
Richard J. W. Hill 他
シリーズタイトル: Special Issue : Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
著者標目: Xu Li
Haiping Zhou
Richard J. W. Hill
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 51(1)(2):2012.1
掲載巻: 51
掲載号: 1
掲載通号: 2
掲載ページ: 01AB01-1-5
掲載年月日（W3CDTF）: 2012-01
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 023388293
http://id.ndl.go.jp/bib/023388293
整理区分コード: 632