パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性 (シリコン材料・デバイス)

記事を表すアイコン

パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023493452
資料種別
記事
著者
竹中 浩人ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-02
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(426):2012.2.7・8
掲載ページ
p.19-24
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
竹中 浩人
篠原 迪人
内田 貴史 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
High-Frequency Properties of Si Single-Electron Transistors Fabricated by Pattern-Dependent Oxidation
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
111(426):2012.2.7・8
掲載巻
111
掲載号
426