第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析

• 資料種別: 記事
• タイトル: 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析
• 著者・編者: 葛屋 陽平; モラル ダニエル; 水野 武志 他
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 葛屋 陽平; モラル ダニエル; 水野 武志
• 並列タイトル等: Ab initio Analysis of Electronic States for Single Phosphorous Dopants in Silicon Nanoscale Transistors
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 111(425):2012.2.7・8
• 掲載巻: 111
• 掲載号: 425
• 掲載ページ: 7-11
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2012-02
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 第一原理計算; イオン化エネルギー; 電子状態の空間分布; ナノ; MOSFET; Ab initio; ionization energy; spatial distribution of electronic; nano
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2011-143
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023493942; http://id.ndl.go.jp/bib/023493942
• 整理区分コード: 632