SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 (電子デバイス)

SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析

(電子デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
著者・編者: 村松徹
葛西誠也
谷田部然治
シリーズタイトル: 電子デバイス
著者標目: 村松徹
葛西誠也
谷田部然治
並列タイトル等: Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 111(425):2012.2.7・8
掲載巻: 111
掲載号: 425
掲載ページ: 89-93
掲載年月日（W3CDTF）: 2012-02
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: ナノワイヤFET
GaAs
絶縁ゲート
低周波雑音
時定数
分布関数
Nanowire FET
Insulator gate
Low-frequency noise
Time constant
Distribution function
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2011-157
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 023494198
http://id.ndl.go.jp/bib/023494198
整理区分コード: 632