招待講演 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: 招待講演 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長
• 著者・編者: 北原 邦紀; 原 明人
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 北原 邦紀; 原 明人
• 並列タイトル等: Growth of Silicon and Silicon-Germanium Thin Films on Glass Substrates by Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 112(18):2012.4.27・28
• 掲載巻: 112
• 掲載号: 18
• 掲載ページ: 21-26
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2012-04
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: シリコン; ゲルマニュウム; 薄膜; レーザ結晶化; グレイン; 移動度; silicon; germanium; thin film; laser crystallization; grain; mobility
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2012-5
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023619852; http://id.ndl.go.jp/bib/023619852
• 整理区分コード: 632