書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 高木 達也華 俊辰宮原 亮 他
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Growth-rate dependence of GaP structure grown Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy
- タイトル（掲載誌）
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 112(34):2012.5.17・18
- 掲載巻
- 112
- 掲載号
- 34