Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
• 著者・編者: 伊藤 宏成; 熊谷 啓助; 関口 寛人 他
• シリーズタイトル: 電子部品・材料
• 著者標目: 伊藤 宏成; 熊谷 啓助; 関口 寛人
• 並列タイトル等: Electrical properties on n- and p-type AlGaPN for dislocation-free light-emitting devices on Si substrate
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 112(33):2012.5.17・18
• 掲載巻: 112
• 掲載号: 33
• 掲載ページ: 11-14
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2012-05
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 光電子集積回路; Ⅲ-Ⅴ-N混晶; AlGaPN; ドーピング; OEIC; Ⅲ-Ⅴ-N alloy; doping
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2012-3
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023744203; http://id.ndl.go.jp/bib/023744203
• 整理区分コード: 632