GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作
• 著者・編者: 荒井 昌和; 金澤 慈; 田所 貴志 他
• シリーズタイトル: 光エレクトロニクス
• 著者標目: 荒井 昌和; 金澤 慈; 田所 貴志
• 並列タイトル等: Demonstration on 20 Gbit/s Direct Modulation of 1.3-μm-Range Metamorphic Laser
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 112(98):2012.6.22
• 掲載巻: 112
• 掲載号: 98
• 掲載ページ: 9-12
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2012-06-22
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 半導体レーザ; 温度特性; メタモルフィック; Semiconductor laser; Temperature characteristics; Metamorphic
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: OPE2012-11
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023810870; http://id.ndl.go.jp/bib/023810870
• 整理区分コード: 632