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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号112巻92号 2012年6月21日
記事TiN電極中の酸素に...

TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 (シリコン材料・デバイス)

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TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023811211
資料種別
記事
著者
細井 卓治ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-06-21
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(92):2012.6.21
掲載ページ
p.43-46
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紙

資料種別
記事
タイトル
TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化
著者・編者
細井 卓治
大嶽 祐輝
有村 拓晃 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス
著者標目
細井 卓治
大嶽 祐輝
有村 拓晃
並列タイトル等
Oxygen-induced High-k Dielectric Degradation in TiN/Hf-based High-k Gate Stacks
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
112(92):2012.6.21
掲載巻
121
掲載号
92