窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望 : バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から (省エネ創エネを牽引(けんいん)する窒化物ワイドギャップ半導体)
デジタルデータあり（Japan Link Center）
すぐに読む
CiNii Research
全国の図書館の所蔵
国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。
所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 天野 浩
- シリーズタイトル
- 著者標目
- 並列タイトル等
- Progress and prospect of the growth of wide-band-gap group Ⅲ nitrides : Development of the growth method for single-crystal bulk GaN
- タイトル（掲載誌）
- 応用物理
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 81(6):2012.6
- 掲載巻
- 81
- 掲載号
- 6