S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化

• 資料種別: 記事
• タイトル: S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• 著者・編者: 小坂 尚希; 内田 浩光; 能登 一二三 他
• シリーズタイトル: 光エレクトロニクス
• 著者標目: 小坂 尚希; 内田 浩光; 能登 一二三
• 並列タイトル等: An S-Band 170W/70% Partially-Matched GaN HEMT Power Amplifier : Efficiency Increase by Harmonic Termination for GaN-on-Si Device
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 112(156):2012.7.26・27
• 掲載巻: 112
• 掲載号: 156
• 掲載ページ: 7-10
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2012-07
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN; シリコン; 増幅器; 高調波処理; S帯; silicon; amplifier; harmonic termination; S-band
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: OPE2012-21
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023878064; http://id.ndl.go.jp/bib/023878064
• 整理区分コード: 632