読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM

• 資料種別: 記事
• タイトル: 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM
• 著者・編者: 吉本 秀輔; 寺田 正治; 梅木 洋平 他
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 吉本 秀輔; 寺田 正治; 梅木 洋平
• 並列タイトル等: A 40-nm 256-Kb Sub-10pJ/Access 8T SRAM with Read Bitline Amplitude Limiting (RBAL) Scheme
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 112(169):2012.8.2・3
• 掲載巻: 112
• 掲載号: 169
• 掲載ページ: 7-12
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2012-08
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 8T SRAM; 低電圧; 低電力; 読出しビット線リミッタ; 放電加速; low voltage; low energy; read bitline limiter; discharge accelerator
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2012-64
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023935263; http://id.ndl.go.jp/bib/023935263
• 整理区分コード: 632