化合物半導体基板の研磨/CMP加工 : 加工メカニズムに基づくGaAs結晶とCdTe結晶のCMPスラリー (特集新電子部品材料の研磨加工)

化合物半導体基板の研磨/CMP加工 : 加工メカニズムに基づくGaAs結晶とCdTe結晶のCMPスラリー

(特集新電子部品材料の研磨加工)

掲載誌名: Abrasive technology : 砥粒加工学会誌 : journal of the Japan Society for Abrasive Technology 56(9)=361:2012.9

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資料種別: 記事
タイトル: 化合物半導体基板の研磨/CMP加工 : 加工メカニズムに基づくGaAs結晶とCdTe結晶のCMPスラリー
著者・編者: 大西修
山崎努
會田英雄他
シリーズタイトル: 特集新電子部品材料の研磨加工
著者標目: 大西修
山崎努
會田英雄
並列タイトル等: Polishing/CMP of semiconductor substrates : CMP slurries for GaAs and CdTe substrates based on polishing mechanism
タイトル（掲載誌）: Abrasive technology : 砥粒加工学会誌 : journal of the Japan Society for Abrasive Technology
巻号年月日等（掲載誌）: 56(9)=361:2012.9
掲載巻: 56
掲載号: 9
掲載通号: 361
掲載ページ: 596-599
掲載年月日（W3CDTF）: 2012-09
ISSN（掲載誌）: 0914-2703
ISSN-L（掲載誌）: 0914-2703
出版事項（掲載誌）: 東京 : 砥粒加工学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: compound semiconductor
GaAs
CdTe
CMP
slurry
removal rate
surface roughness
NDLC: ZN11
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-1147
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 023968423
http://id.ndl.go.jp/bib/023968423
整理区分コード: 632