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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号112(265)-112(272):2012.10.26-2012.10.31
記事H₂-O₂触媒反応生...

H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析 (電子部品・材料)

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H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析

(電子部品・材料)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024078898
資料種別
記事
著者
永冨 瑛智ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-10
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(265):2012.10.26・27
掲載ページ
p.1-5
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紙

資料種別
記事
タイトル
H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析
著者・編者
永冨 瑛智
山口 直也
竹内 智彦 他
シリーズタイトル
電子部品・材料
著者標目
永冨 瑛智
山口 直也
竹内 智彦
並列タイトル等
Electronic properties of ZnO thin films grown on a-plane sapphire substrates using high-energy H₂O generated by a catalytic reaction : Analysis using a two layer model
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
112(265):2012.10.26・27
掲載巻
112
掲載号
265