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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
112(325)-112(332):2012.11.27-2012.12.1
記事
大口径Si基板(8イ...
大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長 (電子部品・材料)
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大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長
(電子部品・材料)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024150188
資料種別
記事
著者
徳永 裕樹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-11
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(328):2012.11.29・30
掲載ページ
p.17-20
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長
著者・編者
徳永 裕樹
生方 映徳
矢野 良樹 他
シリーズタイトル
電子部品・材料
著者標目
徳永 裕樹
生方 映徳
矢野 良樹
並列タイトル等
High growth rate AlN and AlGaN on large diameter Si substrate(6inch & 8inch)
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(328):2012.11.29・30
掲載巻
112
掲載号
328
掲載ページ
17-20
掲載年月日(W3CDTF)
2012-11
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
8インチ
MOCVD
AlN
AlGaN
気相反応
8 inch
Gas phase pre-reaction
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
CPM2012-126
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
024150188
http://id.ndl.go.jp/bib/024150188
整理区分コード
632
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