GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)

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GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性

(レーザ・量子エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024150739
資料種別
記事
著者
渡邉 則之ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-11
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(329):2012.11.29・30
掲載ページ
p.21-24
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
渡邉 則之
横山 春喜
重川 直輝
並列タイトル等
Anomalous current-voltage behavior in n-i-n type diode with GaN/AlGaN/GaN junction
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(329):2012.11.29・30
掲載巻
112
掲載号
329