InGaSb三元混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(特集国際宇宙ステーション時代の結晶成長(その1))

掲載誌名: 日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 39(1):2012

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資料種別: 記事
タイトル: InGaSb三元混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
著者・編者: 早川泰弘
Mukannan Arivanandhan
田中昭他
シリーズタイトル: 特集国際宇宙ステーション時代の結晶成長(その1)
著者標目: 早川泰弘
Mukannan Arivanandhan
田中昭
並列タイトル等: Effect of Gravity on the Growth of InGaSb Ternary Alloy Semiconductor Bulk Crystals
タイトル（掲載誌）: 日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
巻号年月日等（掲載誌）: 39(1):2012
掲載巻: 39
掲載号: 1
掲載ページ: 23-31
掲載年月日（W3CDTF）: 2012
ISSN（掲載誌）: 0385-6275
ISSN-L（掲載誌）: 0385-6275
出版事項（掲載誌）: 大阪 : 日本結晶成長学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z15-339
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 024168869
http://id.ndl.go.jp/bib/024168869
整理区分コード: 632