炭化ケイ素基板研磨の...

炭化ケイ素基板研磨のための電界砥粒分布制御研磨に関する研究 : 電界による研磨率向上メカニズムの検討

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炭化ケイ素基板研磨のための電界砥粒分布制御研磨に関する研究 : 電界による研磨率向上メカニズムの検討

国立国会図書館請求記号
Z16-466
国立国会図書館書誌ID
024214664
資料種別
記事
著者
久住 孝幸ほか
出版者
東京 : 精密工学会
出版年
2013-01
資料形態
掲載誌名
精密工学会誌 = Journal of the Japan Society for Precision Engineering / 会誌編集委員会 編 79(1)=937:2013.1
掲載ページ
p.87-92
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
久住 孝幸
佐藤 安弘
池田 洋 他
並列タイトル等
The Development of AC Electric Field Assisted Polishing for Silicon Carbide Substrates with Control of Abrasive Behavior : Clarification of Improvement Mechanism for Polishing Rate with Electric Field
タイトル(掲載誌)
精密工学会誌 = Journal of the Japan Society for Precision Engineering / 会誌編集委員会 編
巻号年月日等(掲載誌)
79(1)=937:2013.1
掲載巻
79
掲載号
1
掲載通号
937