3次元積層を可能にするpoly-Si MOS駆動の相変化メモリ (Ⅳ族系半導体の現在・過去・未来)
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CiNii Research
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 笹子 佳孝木下 勝治小林 孝
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Phase-change memory driven by a poly-Si MOS transistor enabling three-dimensional stacking
- タイトル（掲載誌）
- 応用物理
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 82(4):2013.4
- 掲載巻
- 82
- 掲載号
- 4