軟X線照射によるSi...

軟X線照射によるSi系半導体の表面ナノ改質と低温結晶化 (表面改質による材料の新規性発現とその応用)

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軟X線照射によるSi系半導体の表面ナノ改質と低温結晶化(表面改質による材料の新規性発現とその応用)

国立国会図書館請求記号
Z15-243
国立国会図書館書誌ID
024626966
資料種別
記事
著者
松尾 直人ほか
出版者
東京 : 応用物理学会
出版年
2013-05
資料形態
掲載誌名
応用物理 82(5):2013.5
掲載ページ
p.390-396
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
松尾 直人
部家 彰
並列タイトル等
Surface nano-modification and low-temperature crystallization of Si-related semiconductors by soft x-ray irradiation
タイトル(掲載誌)
応用物理
巻号年月日等(掲載誌)
82(5):2013.5
掲載巻
82
掲載号
5