Effect of High NH₃ Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates (Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

Effect of High NH₃ Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates

(Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 024786317

資料種別: 記事

著者: Rie Togashiほか

出版者: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

出版年: 2013-08

資料形態: 紙

掲載誌名: Japanese journal of applied physics : JJAP 52(8)(2):2013.8

掲載ページ: p.08JD05-1-4

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Effect of High NH₃ Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates
著者・編者: Rie Togashi
Sho Yamamoto
K. Fredrik Karlsson 他
シリーズタイトル: Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors
著者標目: Rie Togashi
Sho Yamamoto
K. Fredrik Karlsson
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 52(8)(2):2013.8
掲載巻: 52
掲載号: 8
掲載通号: 2
掲載ページ: 08JD05-1-4
掲載年月日（W3CDTF）: 2013-08
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 024786317
http://id.ndl.go.jp/bib/024786317
整理区分コード: 632