溶液プロセスによる酸化物半導体TFTの大気圧形成技術 (特集 酸化物半導体TFT最前線)

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溶液プロセスによる酸化物半導体TFTの大気圧形成技術

(特集 酸化物半導体TFT最前線)

国立国会図書館請求記号
Z16-B314
国立国会図書館書誌ID
024863130
資料種別
記事
著者
古田 守ほか
出版者
東京 : テクノタイムズ社
出版年
2013-10
資料形態
掲載誌名
ディスプレイ = Monthly display : FPD・照明・太陽電池の総合技術情報誌 / 月刊ディスプレイ編集委員会 編 19(10)=221:2013.10
掲載ページ
p.17-22
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
古田 守
川原村 敏幸
並列タイトル等
Solution-based Atmospheric Pressure Process for Oxide Thin-Film Transistors
タイトル(掲載誌)
ディスプレイ = Monthly display : FPD・照明・太陽電池の総合技術情報誌 / 月刊ディスプレイ編集委員会 編
巻号年月日等(掲載誌)
19(10)=221:2013.10
掲載巻
19
掲載号
10