溶液プロセスによる酸化物半導体TFTの大気圧形成技術 (特集酸化物半導体TFT最前線)

溶液プロセスによる酸化物半導体TFTの大気圧形成技術

(特集酸化物半導体TFT最前線)

掲載誌名: ディスプレイ = Monthly display : FPD・照明・太陽電池の総合技術情報誌 / 月刊ディスプレイ編集委員会編 19(10)=221:2013.10

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資料種別: 記事
タイトル: 溶液プロセスによる酸化物半導体TFTの大気圧形成技術
著者・編者: 古田守
川原村敏幸
シリーズタイトル: 特集酸化物半導体TFT最前線
著者標目: 古田守
川原村敏幸
並列タイトル等: Solution-based Atmospheric Pressure Process for Oxide Thin-Film Transistors
タイトル（掲載誌）: ディスプレイ = Monthly display : FPD・照明・太陽電池の総合技術情報誌 / 月刊ディスプレイ編集委員会編
巻号年月日等（掲載誌）: 19(10)=221:2013.10
掲載巻: 19
掲載号: 10
掲載通号: 221
掲載ページ: 17-22
掲載年月日（W3CDTF）: 2013-10
ISSN（掲載誌）: 1341-3961
ISSN-L（掲載誌）: 1341-3961
出版事項（掲載誌）: 東京 : テクノタイムズ社
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-B314
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 024863130
http://id.ndl.go.jp/bib/024863130
整理区分コード: 632