Evaluation of TiN/Cu Gate Metal Scheme for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Application

記事を表すアイコン

Evaluation of TiN/Cu Gate Metal Scheme for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Application

国立国会図書館請求記号
Z78-A526
国立国会図書館書誌ID
024863894
資料種別
記事
著者
Yueh-Chin Linほか
出版者
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版年
2013-09
資料形態
掲載誌名
Applied physics express : APEX 6(9):2013.9
掲載ページ
p.091003-1-3
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Yueh-Chin Lin
Chih-Hsiang Chang
Fang-Ming Li 他
タイトル(掲載誌)
Applied physics express : APEX
巻号年月日等(掲載誌)
6(9):2013.9
掲載巻
6
掲載号
9
掲載ページ
091003-1-3
掲載年月日(W3CDTF)
2013-09