表面再構成構造を利用...

表面再構成構造を利用したSiへの希土類元素の高濃度ドーピング (材料のスマート制御による物性・機能性の開拓)

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表面再構成構造を利用したSiへの希土類元素の高濃度ドーピング(材料のスマート制御による物性・機能性の開拓)

国立国会図書館請求記号
Z74-H317
国立国会図書館書誌ID
024914701
資料種別
記事
著者
宮田 祐輔ほか
出版者
大阪 : 高温学会
出版年
2013-09
資料形態
掲載誌名
スマートプロセス学会誌 = Journal of smart processing 2(5):2013.9
掲載ページ
p.219-223
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
宮田 祐輔
奥山 祥孝
藤村 紀文
並列タイトル等
High-concentration Rare Earth Ion Doping to Si Using Reconstructed Surface Structure
タイトル(掲載誌)
スマートプロセス学会誌 = Journal of smart processing
巻号年月日等(掲載誌)
2(5):2013.9
掲載巻
2
掲載号
5