InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開

• 資料種別: 記事
• タイトル: InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開
• 著者・編者: 萩野 裕幸; 左文字 克哉; 吉田 真治 他
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 萩野 裕幸; 左文字 克哉; 吉田 真治
• 並列タイトル等: High-Power Operation and Applications of InGaN Laser Diode
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 113(329):2013.11.28・29
• 掲載巻: 113
• 掲載号: 329
• 掲載ページ: 1-4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2013-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 半導体レーザ; レーザアレイ; 蛍光体; 白色光源; Semiconductor laser; Laser array; Phosphor; White light source
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2013-64
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 025086987; http://id.ndl.go.jp/bib/025086987
• 整理区分コード: 632