表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性

• 資料種別: 記事
• タイトル: 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
• 著者・編者: 西田 将太; 梁 剣波; 森本 雅史 他
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 西田 将太; 梁 剣波; 森本 雅史
• 並列タイトル等: Electrical properties of Si/SiC heterojunctions fabricated using surface-activated bonding
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 113(329):2013.11.28・29
• 掲載巻: 113
• 掲載号: 329
• 掲載ページ: 21-25
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2013-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 表面活性化ボンディング; Si; SiC; 電流電圧特性; ヘテロ接合; surface-activated bonding; current-voltage characteristics; heterojunction
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2013-68
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 025087071; http://id.ndl.go.jp/bib/025087071
• 整理区分コード: 632