雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号113(416)-113(420):2014.1.28-2014.1.29
記事2層グラフェンにおけ...

2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱 (シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

記事を表すアイコン

2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱

(シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025278477
資料種別
記事
著者
長汐 晃輔ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-01-29
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420):2014.1.29
掲載ページ
p.1-4
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    紙
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
    この本の所蔵を確認

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

紙

資料種別
記事
タイトル
2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱
著者・編者
長汐 晃輔
金山 薫
西村 知紀 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
著者標目
長汐 晃輔
金山 薫
西村 知紀
並列タイトル等
Carrier response in band gap and multiband transport in bilayer grapheme under the ultra-high displacement
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
113(420):2014.1.29
掲載巻
113
掲載号
420