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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号113(416)-113(420):2014.1.28-2014.1.29
記事Si上Ⅲ-Ⅴ族化合物...

Si上Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ナノワイヤの集積 : 高性能縦型FETと低電圧トランジスタ応用 (シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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Si上Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ナノワイヤの集積 : 高性能縦型FETと低電圧トランジスタ応用

(シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025278623
資料種別
記事
著者
冨岡 克広ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-01-29
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420):2014.1.29
掲載ページ
p.17-22
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紙

資料種別
記事
タイトル
Si上Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ナノワイヤの集積 : 高性能縦型FETと低電圧トランジスタ応用
著者・編者
冨岡 克広
福井 孝志
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
著者標目
冨岡 克広
福井 孝志
並列タイトル等
Integration of Ⅲ-Ⅴ nanowires on Si : From high-performance vertical FET to steep-slope switch
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
113(420):2014.1.29
掲載巻
113
掲載号
420