非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響

• 資料種別: 記事
• タイトル: 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響
• 著者・編者: 茂藤 健太; 崎山 晋; 酒井 崇嗣 他
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 茂藤 健太; 崎山 晋; 酒井 崇嗣
• 並列タイトル等: Influence of electron irradiation on Au-induced crystallization for amorphous Ge/SiO₂-substrate
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 114(1):2014.4.10・11
• 掲載巻: 114
• 掲載号: 1
• 掲載ページ: 21-25
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2014-04
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 金属誘起成長; 低温形成; ゲルマニウム; 電子線照射; Metal induced crystallization; Low temperature formation; Germanium; Electron irradiation
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2014-5
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 025447356; http://id.ndl.go.jp/bib/025447356
• 整理区分コード: 632