原子層エレクトロニク...

原子層エレクトロニクスに向けたカルコゲナイド系層状物質の基礎物性と薄膜形成手法 (放射線イメージング/新半導体デバイス材料・応用/軟X線)

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原子層エレクトロニクスに向けたカルコゲナイド系層状物質の基礎物性と薄膜形成手法(放射線イメージング/新半導体デバイス材料・応用/軟X線)

国立国会図書館請求記号
Z15-243
国立国会図書館書誌ID
025453628
資料種別
記事
著者
上野 啓司ほか
出版者
東京 : 応用物理学会
出版年
2014-04
資料形態
掲載誌名
応用物理 83(4):2014.4
掲載ページ
p.274-278
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
上野 啓司
塚越 一仁
並列タイトル等
Basic properties and thin film preparation methods of layered chalcogenide materials for atomic-layer electronics
タイトル(掲載誌)
応用物理
巻号年月日等(掲載誌)
83(4):2014.4
掲載巻
83
掲載号
4