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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
114(56):2014.5.28・29
記事
磁気抵抗メモリにおけ...
磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション (電子デバイス)
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磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
(電子デバイス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025514142
資料種別
記事
著者
洗平 昌晃ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-05
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(56):2014.5.28・29
掲載ページ
p.47-50
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
著者・編者
洗平 昌晃
山本 貴博
白石 賢二
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
洗平 昌晃
山本 貴博
白石 賢二
並列タイトル等
First-Principles Simulation on Electron Scattering Process of Magnetoresistance Memory
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
114(56):2014.5.28・29
掲載巻
114
掲載号
56
掲載ページ
47-50
掲載年月日(W3CDTF)
2014-05
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
磁気抵抗メモリ
電流誘起磁化反転
第一原理計算
Magnetoresistance memory
Current-induced magnetization switching
First-principles calculation
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
ED2014-27
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
025514142
http://id.ndl.go.jp/bib/025514142
整理区分コード
632
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