磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション

• 資料種別: 記事
• タイトル: 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
• 著者・編者: 洗平 昌晃; 山本 貴博; 白石 賢二
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 洗平 昌晃; 山本 貴博; 白石 賢二
• 並列タイトル等: First-Principles Simulation on Electron Scattering Process of Magnetoresistance Memory
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 114(58):2014.5.28・29
• 掲載巻: 114
• 掲載号: 58
• 掲載ページ: 47-50
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2014-05
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 磁気抵抗メモリ; 電流誘起磁化反転; 第一原理計算; Magnetoresistance memory; Current-induced magnetization switching; First-principles calculation
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2014-25
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 025515850; http://id.ndl.go.jp/bib/025515850
• 整理区分コード: 632