触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に堆積した窒素ドープZnO薄膜の成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: 触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に堆積した窒素ドープZnO薄膜の成長
• 著者・編者: 大橋 優樹; 叶内 慎吾; 山口 直也 他
• シリーズタイトル: 機構デバイス 材料デバイスサマーミーティング
• 著者標目: 大橋 優樹; 叶内 慎吾; 山口 直也
• 並列タイトル等: Epitaxial growth of nitrogen-doped ZnO thin films on a-plane sapphire substrates using high-energy H₂O generated by a catalytic reaction
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 114(94):2014.6.20
• 掲載巻: 114
• 掲載号: 94
• 掲載ページ: 49-53
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2014-06-20
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ZnO; 触媒反応; 高エネルギーH₂O; X線回折; PLスペクトル; SIMS; catalytic reaction; high-energy H₂O; x-ray diffraction; PL spectra
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EMD2014-17
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 025590559; http://id.ndl.go.jp/bib/025590559
• 整理区分コード: 632