招待講演低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 (電子デバイス)

招待講演低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造

(電子デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: 招待講演低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造
著者・編者: 宮本恭幸
金澤徹
米内義晴他
シリーズタイトル: 電子デバイス
著者標目: 宮本恭幸
金澤徹
米内義晴
並列タイトル等: InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 114(168):2014.8.1
掲載巻: 114
掲載号: 168
掲載ページ: 19-24
掲載年月日（W3CDTF）: 2014-08-01
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: InGaAs MOSFET
ソース構造
トンネルFET
超格子ソース
InGaAs MOSFETs
Source structure
Tunnel FET
Super-lattice source
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2014-56
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 025768853
http://id.ndl.go.jp/bib/025768853
整理区分コード: 632