雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号114(197)-114(203):2014.9.1-2014.9.5
記事高周波プラズマ化学気...

高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価 (電子部品・材料)

記事を表すアイコン

高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価

(電子部品・材料)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025839461
資料種別
記事
著者
土屋 政人ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-09
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(202):2014.9.4・5
掲載ページ
p.1-5
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
    この本の所蔵を確認

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

紙

資料種別
記事
タイトル
高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価
著者・編者
土屋 政人
真柄 晃平
徳田 健吾 他
シリーズタイトル
電子部品・材料
著者標目
土屋 政人
真柄 晃平
徳田 健吾
並列タイトル等
Characterization of nitrogen-doped DLC film prepared by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
114(202):2014.9.4・5
掲載巻
114
掲載号
202