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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号114(274)-114(281):2014.10.24-2014.10.31
記事超高速全光論理ゲート...

超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 (光通信システム)

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超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討

(光通信システム)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025919681
資料種別
記事
著者
松本 敦ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-10
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(281):2014.10.30・31
掲載ページ
p.87-91
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紙

資料種別
記事
タイトル
超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討
著者・編者
松本 敦
武井 勇樹
赤羽 浩一 他
シリーズタイトル
光通信システム
著者標目
松本 敦
武井 勇樹
赤羽 浩一
並列タイトル等
Gain Characteristics and Piezoelectric effect of 1550nm-Band QD-SOA Grown on InP(311)B Substrate for Ultra-Fast All-Optical Logic Gate Devices
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
114(281):2014.10.30・31
掲載巻
114
掲載号
281