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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号114(291):2014.11.6・7
記事モンテカルロ法による...

モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 (シリコン材料・デバイス)

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モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025980576
資料種別
記事
著者
岡本 稔ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-11
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(291):2014.11.6・7
掲載ページ
p.13-18
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紙

資料種別
記事
タイトル
モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算
著者・編者
岡本 稔
清水 守
大倉 康幸 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス
著者標目
岡本 稔
清水 守
大倉 康幸
並列タイトル等
Three-dimensional calculation of ion implantation to SiC substrate
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
114(291):2014.11.6・7
掲載巻
114
掲載号
291