MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚

• 資料種別: 記事
• タイトル: MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚
• 著者・編者: 児玉 和樹; Hasan Md Tanvir; 野村 裕之 他
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 児玉 和樹; Hasan Md Tanvir; 野村 裕之
• 並列タイトル等: Critical thickness for phase separation in MOVPE-grown thick InGaN
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 114(336):2014.11.27・28
• 掲載巻: 114
• 掲載号: 336
• 掲載ページ: 9-14
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2014-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: InGaN; MOVPE; 相分離; 臨界膜厚; phase separation; critical thickness
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2014-75
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 025982044; http://id.ndl.go.jp/bib/025982044
• 整理区分コード: 632